ЗАРЯДНИ УСТРОЙСТВА

GaN Technology - GaN е съкращение от галиев нитрид, който е нов вид полупроводников материал. Характеризира се с широка проводимост, висока топлопроводимост, устойчивост на висока температура, устойчивост на излъчване, устойчивост на киселинни и алкални елементи, висока якост и висока твърдост. Използването на GaN технологията, позволява да се изработят с до 50% по-малки и леки продукти, но същевременно по-бързи и ефикасни, в сравнение със стандартните полупроводникови елементи.

1. Задавани параметри: начало и край на зареждане спрямо напрежението на батерията време за зареждане

2. Контролен ток: 10А max (превключващият елемент е реле)

3. Напрежение: доспустим обхват 6 – 60 VDC на клеми CH+ и CH-

4. Тип изход: директен (входното напрежение се подава директно към акумулатора) 5. Размер

7A обща мощност

Защита от късо (токова), защита от повишено напрежение, защита от прегряване